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发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法.pdf

    本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层和AlGaN电子阻挡层之间增加复合层，复合层包括依次层叠在多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层。第一子层中交替层叠的InN层与掺有p型杂质的GaN层，提高GaN层中空穴数量。第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，提高复合层的质量的同时起到一定的阻挡电子的作用。最后通过生长包括AlGaN层的第三子层，复合层及复合层后的AlGaN电子阻挡层的质量均可以得到提高，进入多量子阱层内的空穴数量也可以得到提高，最终发光二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206175 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110305662.X (22)申请日 2021.03.19 (71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司

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