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提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括:阴离子组分,包括金刚烷基;阳离子组分,包括C5至C40环烃基,并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基,所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置,在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜,对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113185432 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202011387643.8 C07C 319/20 (2006.01)
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