1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约8.28千字
  • 约 8页
  • 2023-06-15 发布于四川
  • 举报

一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件.pdf

    本发明涉及一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件，二维半导体场效应管从下至上依次包括：绝缘衬底区、导电沟道区、栅极区；其中，导电沟道区包括源、漏极、第一绝缘介质层、二维半导体层，第一绝缘介质层位于源、漏极之间，二维半导体层两端与源、漏极电连接形成源、漏端；栅极区包括高K介电层、金属栅和第二绝缘介质层，金属栅和第二绝缘介质层位于高K介电层上，第二绝缘介质层中包括多个通孔，通孔中的电极引线电连接二维半导体层的源、漏端、金属栅，本发明还相应公开了二维半导体场效应管的制备工艺。本发明适用于碳

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206091 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110351170.4 (22)申请日 2021.03.31 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >