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电路与电子技术复习题 第4 章 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓 度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向 电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 4 、三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 5、三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 6、在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化 较小。 7 、三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基 区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。 8、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC 从1mA 变为2mA ， 那么它的β约为 100 。 9、三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 10、双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。 11、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 12、 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V、-6V 和-6.2V，则三极 管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由 锗 半 导体材料制成。 二、判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型 半导体带正电，N 型半导体带负电。（× ） 2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩 散电流小。（× ） 3、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。 （× ） 4 、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（× ） 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三、选择题 1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成 2、PN 结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN 结的（ d ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4 、二极管的反向饱和电流在 20℃时是 5μA，温度每升高 10℃，其反向饱和电流增大一倍， 当温度为40 ℃时，反向饱和电流值为（ c ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 5、在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降 U 近似等于电源电压 CE U 时，则该管工作状态为：（B ）。 CC A ．饱和 B ．截止 C.放大 D ．不能确定 四、分析计算题 1、写出题图4.1 所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。 解：V ≈2V （二极管正向导通），V