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本申请公开了用于形成图案的方法和使用该方法制造半导体器件的方法。一种形成图案的方法，包括：形成具有板部分和多个焊盘部分的初步图案，所述焊盘部分在衬底上从所述板部分的端部突出；形成第一硬掩模图案，该第一硬掩模图案包括覆盖焊盘部分的阻挡部分和部分覆盖该板部分的多个线部分；在每个线部分的侧壁上形成间隔物；形成第二硬掩模图案，该第二硬掩模图案在接触间隔物的情况下填充线部分之间的空间；通过去除间隔物来形成暴露第一硬掩模图案和第二硬掩模图案之间的板部分的开口；通过经由所述开口蚀刻所述板部分的被暴露部分来形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110323139 A
(43)申请公布日
2019.10.11
(21)申请号 20181
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