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半导体装置与制造半导体装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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半导体装置与制造半导体装置的方法.pdf

    一种半导体装置与制造半导体装置的方法，半导体装置包含栅极结构、源极/漏极磊晶结构、前侧互连结构、背侧通孔件、隔离材料及侧壁间隔物。源极/漏极磊晶结构在栅极结构的一侧上。前侧互连结构在源极/漏极磊晶结构的前侧上。背侧通孔件连接至源极/漏极磊晶结构的背侧。隔离材料在背侧通孔件的一侧上且接触栅极结构。侧壁间隔物在背侧通孔件与隔离材料之间。隔离材料的高度大于侧壁间隔物的高度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206062 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110203188.X H01L 27/088 (2006.01)

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