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一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法.pdf

    本发明公开了一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法，在舟中装载硅片，在进舟升温之后，将炉管内压力控制在300～760torr，升温，待温度稳定在400‑450℃后通入氧气，进行一次SiO2生长，然后打开真空泵将炉管抽真空至1000mtorr以下，再升温至500‑600℃稳定后，再次通入氧气，进行第二次SiO2生长，然后进行降温，出舟完成本发明的氧化工艺。本发明的制备方法能够克服现有技术中SiO2生长过快，且不均匀问题。本发明中，根据氧化层生长规律，进行多次SiO2生长，且分别在不同的低温环境下生

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206002 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110271934.9 (22)申请日 2021.03.13 (71)申请人 普乐新能源科技（徐州）有限

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