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2023-06-16 发布于四川
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本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224152 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202010939014.5 (22)申请日 2020.09.09 (30)优先权数据 2020-0178

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