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本发明公开了一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法，属于半导体光电子或微细加工领域。本发明将常规的曝光‑溅射/蒸发‑剥离工艺改变为曝光‑浅刻蚀‑溅射/蒸发‑剥离工艺，实现微结构金属图形的制备，工艺具有更好的可靠性和重复性。刻蚀工艺可以迅速的消除微小图形中残留的光刻胶底膜，避免了底膜引起的微图形的剥离。通过对刻蚀时间和参数的控制，在清除残胶的同时，可以清除材料表面吸附的各种杂质，并在材料表面形成很浅的刻蚀图形，使下一步溅射/蒸发的薄金属与材料表面结合的牢固，大幅降低了后续剥离工艺对金属微结构图
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257673 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110058761.2
(22)申请日 2021.01.16
(71)申请人 北京工业大学
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