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本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触体和深体区;其中,体区的上表面自外延层的上表面暴露,源区的上表面与接触体的上表面自体区的上表面暴露,接触体紧靠源区侧边设置,深体区设置于源区与接触体下方,且紧靠源区与接触体。该平面型VDMOS器件的深体区设置于源区与接触体下方,其中的掺杂原子能够由具有多晶硅接触体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224129 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110270795.8 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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