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本申请涉及半导体存储器制作技术领域，具体涉及一种闪存器件结构及其制作方法。结构包括：选择栅、第一分栅和第二分栅；选择栅隔在第一分栅和第二分栅之间；第一分栅和第二分栅均包括：由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；浮栅结构包括浮栅介质层和浮栅多晶硅层，浮栅介质层覆盖在衬底层的闪存元胞区上，浮栅多晶硅层覆盖在浮栅介质层的元胞主体区上；在元胞主体区的边缘，形成以浮栅多晶硅层上表面为上阶面，以隔离结构上表面为下阶面，以浮栅多晶硅层的侧面为阶侧面的第一台阶结构；控制栅结构包括多晶硅间隔层和控制栅多晶硅层，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224066 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110467475.1
(22)申请日 2021.04.28
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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