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3D NAND中的擦除操作.pdfVIP

3D NAND中的擦除操作.pdf

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    本发明题为“3DNAND中的擦除操作”。本发明公开了一种用于擦除非易失性存储器系统中的非易失性存储元件的装置。该装置在整个存储器系统的工作温度范围内具有一致的栅极感应漏极泄漏(GIDL)擦除速度。在一个方面，电压源将擦除电压输出到NAND串。NAND串可响应于擦除电压而汲取GIDL擦除电流。给定擦除电压的GIDL擦除电流的量与温度高度相关。可对GIDL擦除电流进行采样，并且基于GIDL擦除电流来调节擦除电压。因此，GIDL擦除电流以及擦除速度可在整个工作温度范围内保持一致。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223586 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202010546458.2 (22)申请日 2020.06.16 (30)优先权数据 16/781,58

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