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一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法.pdf

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一种大尺寸硒化锑单晶体材料的制备方法,依次进行硒化锑多晶原料的合成和硒化锑单晶体的生长,所述硒化锑单晶体的生长是将硒化锑多晶原料密封于石英安瓿中,置于晶体生长炉中,高温区温度控制为710~750℃,低温区控制为400~420℃,梯度区长度约为15cm,温度梯度控制在20~24℃/cm,结晶界面附近温度梯度为8~15℃/cm。本发明制备的大尺寸硒化锑单晶体由1个单粒构成的单晶体,晶粒尺寸达到5.3cm以上,在用于制备太阳能电池时,本发明制备的硒化锑通过切割、抛光等处理依然能得到光滑的表面,不容易出

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113235166 B (45)授权公告日 2022.05.27 (21)申请号 202110520744.6 审查员 游巧 (22)申请日 2021.05.13

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