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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件，包括：第一源极/漏极；第二源极/漏极，在水平方向上与所述第一源极/漏极隔离以不直接接触；沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；栅极，围绕所述沟道；上内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道上方；以及下内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道下方，其中，所述沟道包括：基部，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；上突出部，从所述基部的顶表面向上突出；以及下突出部，从所述基部的底表面向下突出，并且所述上突出部的顶端与所述

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823844 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202111212561.4 (22)申请日 2021.10.18 (30)优先权数据 10-2021-0011700