原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种半导体结构，该半导体结构包括：位于衬底半导体层的顶表面上的半导体器件、较低层级金属互连结构、源极层级材料层以及三维存储器阵列，该三维存储器阵列包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，以及竖直延伸穿过该交替堆叠并且包括相应的竖直半导体沟道和相应的存储器膜的存储器堆叠结构。绝缘板和介电材料板的竖直交替序列被该交替堆叠横向围绕。直通存储器层级互连通孔结构竖直延伸穿过该竖直交替序列内的每个板并且接触该较低层级金属互连结构中的一者的顶表面的中心部分。至少一个氮化硅衬垫防止或减少该直通存储器层级互连通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114830329 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202180006577.1 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
文档评论（0）