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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开涉及电介质特征的形成后修补。具体地，本公开提供了半导体结构及其形成方法的实施方式。示例性半导体结构包括第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征以及设置在所述第一源极/漏极特征和所述第二源极/漏极特征之间并沿第一方向纵向延伸的混合鳍。所述混合鳍包括内部特征和围绕所述内部特征设置的外层。所述外层包含氧碳氮化硅，并且所述内部特征包含碳氮化硅。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270485 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110241924.0 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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