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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种基于电流体印刷量子点发光层的QLED器件及制备方法。本发明采用电流体打印将量子点溶液打印量子点阵列作为EML功能层,通过匹配发光功能层材料与其承印物的润湿性、互溶程度以及相邻墨滴之间的蒸发排斥效应实现墨滴的三相线钉扎。通过电流体印刷直写技术,成功摆脱印刷槽的束缚,突破喷墨印刷以及转移印刷技术的下限,成功提高器件的分辨率,抑制印刷“咖啡环”效应,实现高质量印刷。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270564 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110547323.2
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 华南理工大学
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