原创力文档- 14
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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明属于TVS芯片制造领域，尤其是一种单向负阻型TVS芯片制造工艺，针对现有的单向负阻型TVS芯片不具有双向TVS二极管的低钳位电压和低击穿电压的优点，不具有单向TVS负向浪涌钳位电压低的优点的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、扩散前处理：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理；S2、初氧：使用氢氧合成工艺完成初氧；S3、基区光刻：正面基区光刻，背面辅助区域光刻；S4、磷预扩：双面补磷；S5、去双面氧化层；S6、背面补硼，本发明具有双向TVS二极管的低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270318 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110584930.6
(22)申请日 2021.05.27
(71)申请人 江苏晟驰微电子有限公司
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