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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开提供了一种石墨基板及其制造方法,属于半导体技术领域。所述石墨基板的第一表面上具有多圈用于容纳衬底的凹槽,所述多圈凹槽均与所述石墨基板同轴,每圈所述凹槽均包括多个凹槽;所述石墨基板还包括沿所述石墨基板的径向设置在所述石墨基板的第一表面上的多个凸起结构,所述多个凸起结构位于所述多圈凹槽中的多个所述凹槽之间,且从所述石墨基板的中心至所述石墨基板的边缘方向,所述凸起结构的高度逐渐升高。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以使得外延片各个区域的发光波长一致,从而可以提高外延片的片内均匀性,保证边缘
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113279056 B
(45)授权公告日 2022.04.15
(21)申请号 202110347549.8 C30B 25/18 (2006.01)
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