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低应力碳化硅单晶生长用坩埚处理方法及晶体生长方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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低应力碳化硅单晶生长用坩埚处理方法及晶体生长方法.pdf

    本发明公开了一种低应力碳化硅单晶生长用坩埚处理方法及晶体生长方法，通过改变石墨坩埚的结构，在石墨坩埚内壁镀上碳化硅膜，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，生长过程中，首先使系统在1300℃‑1500℃温度范围内保温1‑2小时，随后升温至晶体生长温度1800℃‑2600℃，进行碳化硅晶体生长，即可得到低应力碳化硅晶锭。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113265706 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110493841.0 (22)申请日 2021.05.07 (71)申请人 南通大学 地址 22

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