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集成电路结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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集成电路结构及其形成方法.pdf

    一种集成电路结构及其形成方法，IC结构包含源极磊晶结构、漏极磊晶结构、第一硅化物区域、第二硅化物区域、源极接触、背侧连通轨、漏极接触以及前侧互连结构。第一硅化物区域位于源极磊晶结构的前侧上以及第一侧壁上。第二硅化物区域在漏极磊晶结构的前侧上。源极接触与第一硅化物区域接触，并且具有延伸超过源极磊晶结构的背侧的突出。背侧连通轨与源极接触的突出接触。漏极接触与第二硅化物区域接触。前侧互连结构在源极接触的前侧表面上以及漏极接触的前侧表面上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270402 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110510030.7 (51)Int.Cl.

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