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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一第一导电层，设置在该基底上；一第一介电层，设置在该第一导电层上；一第一导电栓柱与一第二导电栓柱，设置在该第一介电层中，其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱包含铜，并通过包含锰的一第一衬垫层而与该第一介电层分隔开；其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱具有不同深宽比。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464594 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202110953767.6 H01L 23/532 (2006.01)
(22)申请日 2021.08
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