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应用于半导体的高纯度、高浓度、小型化臭氧发生器.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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应用于半导体的高纯度、高浓度、小型化臭氧发生器.pdf

    本发明公开了应用于半导体的高纯度、高浓度、小型化臭氧发生器，所述高压放电组件为一体化高压放电组件；所述高压放电区域采用超窄间隙放电结构，该超窄间隙为0.025~0.1mm之间，所述高压放电组件的长度为兼顾臭氧产量和精加工精度的最大长度；所述氧气进口壳体、臭氧出口壳体、低压接地极板各为独立部件，相互之间采用多个螺栓连接；所述高压放电组件的厚度为0.92~2.2mm之间，用于兼顾电介质的最小耗能以及避免安全隐患；所述高压放电组件的电介质是通过改进、能够阻止放电的电介质材料；本发明将经过改造能够阻止放

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113277479 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110485361.X (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人 大连博羽环保技术开发有限公司

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