晶体管栅极的形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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晶体管栅极的形成方法.pdf

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一种晶体管栅极的形成方法包含形成第一及第二鳍片，各个鳍片包含交替堆叠的第一及第二半导体层；在第一及第二鳍片上方形成虚设栅极结构，及在虚设栅极结构的任一侧上形成栅极间隔物；移除虚设栅极结构以形成第一及第二栅极沟渠；移除第一半导体层使得第二半导体层悬置在第一及第二栅极沟渠中；在第二半导体层周围沉积第一介电层，及在第一介电层周围沉积第二介电层；执行ALD制程以在第二介电层周围形成硬遮罩层，ALD制程包含在长于约1秒的第一脉冲时间内脉冲第一前驱物；图案化硬遮罩层；及在第二栅极沟渠中蚀刻第二栅极介电层的一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695262 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202110889860.5 (22)申请日 2021.08.04 (30)优先权数据 63/157,499 2021