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提供了半导体器件和用于半导体器件的布图设计方法。所述半导体器件包括限定在半导体衬底上的第一单位单元覆盖区内的第一逻辑门。第一逻辑门包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，第一场效应晶体管包括第一栅电极和第一源极/漏极区，第二场效应晶体管包括第二栅电极和第二源极/漏极区。设置在第一方向上跨第一单位单元覆盖区的一部分延伸的第一线路图案。第一线路图案电连接到第一栅电极和第二源极/漏极区中的至少一者，并具有：(i)第一末端端部，位于第一单位单元覆盖区的周边内，以及(ii)第二末端端部，延伸到第一单位单元
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114639674 A
(43)申请公布日 2022.06.17
(21)申请号 202111328636.5
(22)申请日 2021.11.10
(30)优先权数据
10-2020-0174964
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