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- 2023-06-17 发布于四川
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一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：提供宽带隙外延层，宽带隙外延层包括宽带隙衬底和宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成第三掩膜层，第三掩膜层的厚度大于第一掩膜层的厚度；在第三掩膜层上形成第四掩膜层，得到第一器件结构；刻蚀第一器件结构界定出阱区注入窗口，阱区注入窗口的底部露出第一掩膜层；离子注入形成阱区。本公开的方法能提高器件的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270482 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110554513.7
(22)申请日 2021.05.20
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
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