半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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使用具有高收缩率的无填充物绝缘材料制成再分布结构。因此，可以实现良好的平面性而不需要实施再分布结构的每个绝缘层的平坦化，从而简化再分布结构的形成。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023718 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111013374.3 (22)申请日 2021.08.31 (30)优先权数据 63/091,96

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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