半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf

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提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备层叠体，所述层叠体包括：交替地层叠的绝缘层和包含钼的导电层；氧化铝层，其设置在所述绝缘层与所述导电层之间；以及保护层，其与所述氧化铝层相接，包含与所述氧化铝层中的铝进行了结合的碳、氮和硫中的任一种，与所述导电层相接。所述层叠体具有设置在所述绝缘层和所述导电层内的绝缘体，所述绝缘体与所述绝缘层的一部分、所述氧化铝层的一部分、所述保护层的一部分以及所述导电层的一部分相接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188346 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202110836682.X (22)申请日 2021.07.23 (30)优先权数据