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CMOS非易失存储器单元电路.pdfVIP

CMOS非易失存储器单元电路.pdf

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    本发明公开了一种CMOS非易失存储器单元电路，该电路具有四个信号输入端口：分别为CTR，T，W，EN，两个信号输出端口：分别为OUT1和OUT2。该电路由五个PMOS晶体管PM1~PM5和一个电容C1组成。其中晶体管PM1和PM2的栅极和电容C1的一个端口连接在一起，形成一个浮空的存储电荷节点，晶体管PM3的栅极接地，在数据读出时作为参考晶体管使用，晶体管PM4和PM5作为开关使用，用于控制存储单元数据的输出，本发明的特点是制作时工艺流程简单，具有更短的加工时间和更低的成本，此外，该电路的电子隧

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 106571162 A (43)申请公布日 2017.04.19 (21)申请号 20161

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