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一种绿光外延结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种绿光外延结构的制备方法.pdf

    本发明涉及倒装LED芯片技术领域，公开了一种绿光外延结构的制备方法，自下而上依次生长衬底、低温AlGaN缓冲层、N－AlGaN阻挡层、多周期Si掺杂GaN、超晶格InGaN/GaN、多周期量子阱、阻挡层、Mg掺杂P－GaN和接触层，多周期量子阱采用GaN/Inx1Ga1－x1N/InX2Ga1－X2N/GaN不同In组分结构。可见，本发明通过量子阱分段生长结构，能够改善阱垒失配，缓解斯塔克效应，提升发光效率，提高生长良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270525 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110485368.1 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人 广东

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