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实施方式的半导体存储装置包含衬底、多个导电体层及多个柱MP。衬底包含第1区域MA1及第2区域HA、以及多个块区域BLK。多个导电体层具有多个阶台部分，所述多个阶台部分在第2区域与多个块区域重叠的各区域中分别不与上层的导电体层重叠。多个柱MP设置在多个块区域的每一个中，贯通多个导电体层。第2区域HA包含在第1方向上排列的第1子区域US及第2子区域LS。第1子区域US包含多个第1阶台部分在朝向第1区域的方向上升级或降级的第1阶梯构造。第2子区域LS包含：第2阶梯构造，多个第2阶台部分在远离第1区域的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203713 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202110251076.1
(22)申请日 2021.03.08
(30)优先权数据
2020-1567
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