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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻排列的接触区和虚拟区，基底上形成有分立排布的位线结构和介质层，且介质层的延伸方向与位线结构的延伸方向相交，位线结构与介质层围成分立的电容接触开口；形成填充电容接触开口的牺牲层；在接触区中，去除牺牲层，形成第二开口；形成填充第二开口的底导电层；在虚拟区中，去除部分高度的牺牲层，形成第一开口；形成填充第一开口的绝缘层；形成位于第二开口中的电容接触结构，本发明实施例避免了随着关键尺寸的微缩，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420642 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202011176293.0
(22)申请日 2020.10.28
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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