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一种形成半导体装置的方法，包括：蚀刻基板以形成半导体鳍片；形成栅极堆叠于半导体鳍片的顶表面及侧壁之上；以及形成第一凹槽于栅极堆叠的一侧的半导体鳍片之中，形成第一凹槽包括：进行第一蚀刻制程以形成第一凹槽的第一部分；沉积第一介电层于栅极堆叠及第一凹槽的第一部分的侧壁上；使用第一介电层作为掩膜，进行第二蚀刻制程以形成第一凹槽的第二部分，第一凹槽的第二部分延伸于栅极堆叠之下；以及进行第三蚀刻制程以移除第一介电层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823514 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210073311.5
(22)申请日 2022.01.21
(30)优先权数据
63/156,440 2021
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