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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管、位元线、第一电容器结构及第二电容器结构。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，包括半导体金属氧化物板位于基板上，以及一组多个电极结构位于半导体金属氧化物板上并沿着第一水平方向自一侧至另一侧含有第一源极、第一栅极、漏极、第二栅极与第二源极。位元线位于半导体金属氧化物板上并电性连接至漏极，且沿着第一水平方向横向延伸。第一电容器结构包括第一导电节点，其电性连接至第一源极。第二电容器结构包括第二导电节点，其电性连接至第二源极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823677 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210237042.1
(22)申请日 2022.03.11
(30)优先权数据
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