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第一层结构包括第一连续绝缘层和第一连续牺牲材料层的第一竖直交替序列以及在该第一竖直交替序列的第一阶梯式表面上面的第一层后向阶梯式介电材料部分。第二连续绝缘层和第二连续牺牲材料层的第二竖直交替序列形成在该第一层结构上方。绝缘板和介电材料的竖直交替堆叠形成在该第一层后向阶梯式介电材料部分上方。另选地，可形成介电柱结构来代替该竖直交替堆叠。在形成存储器堆叠结构之后，导电层替换该第一和第二连续牺牲材料层的部分。接触通孔结构通过该竖直交替堆叠或该介电柱结构形成，通过该第一后向阶梯式介电材料部分形成，并且直
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114747008 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202080081969.X (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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