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本发明公开了一种硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片。硅基红外探测器芯片背面减薄方法，包括：沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶，以遮挡所述焦平面阵列本体的四周与读出电路板所形成的缝隙；对所述焦平面阵列本体的衬底进行背面减薄相关工艺；去除所述光刻胶。采用本发明，在常规红外探测器芯片减薄和硅材料减薄的基础上，在硅基红外探测器芯片背面减薄前，对焦平面阵列与电路接触的四周缝隙进行光刻胶阻隔，防止内部被背面减薄工艺所污染或者腐蚀，在背面减薄后对焦平面阵列与电路接触的四周缝隙进行清洁，防止造成焊
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270518 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110380310.0
(22)申请日 2021.04.09
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十一研究
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