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- 2023-06-17 发布于四川
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一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，涉及电光效应硅调制器领域。制备工艺包括在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口的底部还开设有辅助窗口，辅助窗口由非晶硅生长窗口的底部蚀刻形成；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。制备得到的一阶电光效应硅调制器通过在硅结构中引入不对称应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制，大
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113281920 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110495073.2
(22)申请日 2021.05.07
(71)申请人 三明学院
地址 36
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