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一种光电探测器结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种光电探测器结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种光电探测器结构及其制备方法。一种光电探测器结构包括：衬底；第一氧化硅层；重复交替叠加的多晶硅层和第二氧化硅层，氧化铝层，P‑I‑N堆叠层。制备方法：在衬底上形成锗缓冲层；形成本征半导体层；形成P型半导体层；形成氧化铝层，得到衬底A；在另一衬底上形成第一氧化硅层，重复交替形成多晶硅层和第二氧化硅层，形成衬底B；将衬底A和衬底B键合；去除衬底A中的衬底和锗缓冲层；形成N型半导体层。本发明在PIN堆叠结构下方设有多晶硅/氧化硅叠层，这样利于增强器件内部光学反射，在

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270504 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110396754.3 (22)申请日 2021.04.13 (71)申请人 广东

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