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包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法.pdf

    本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源极电极和漏极电极，接触有源层的顶表面的相应部分。电介质扩散阻挡材料不同于栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物，并且抑制随后的退火工艺中金属元素的损失。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639725 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210119192.2 (22)申请日 2022.02.08 (30)优先权数据

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