一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.31万字
  • 约 12页
  • 2023-06-17 发布于四川
  • 举报

一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统.pdf

本发明涉及半导体加工的技术领域,更具体地,涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统,包括以下步骤:S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上;S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度;S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面,修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面;S40.检测芯片间距,当芯片间距处于合适间距时,将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘;S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上;S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113270354 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110426987.3 H01L 33/48 (2010.01) (22)申请日 2021.04

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档