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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明提供了一种微发光二极管芯片、其制作方法及显示装置，所述微发光二极管芯片包括衬底和阵列分布在衬底上的多个微发光二极管单元，多个微发光二极管单元中每个微发光二极管单元包括多个相互独立的发光区和包围各个发光区的非发光区，每个发光区包括有效发光区和包围有效发光区的无效发光区；每个发光区包括依次背离衬底的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，P型氮化镓层位于有效发光区内的第一部分在衬底上的正投影面积小于多量子阱层在衬底上的正投影面积，多量子阱层包括位于有效发光区且与第一部分相交的第二部分以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270522 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110676491.1
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 京东方科技集团股份有限公司
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