二极管芯片及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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本发明提供了一种二极管芯片及其制造方法,该芯片包括多个相互并联的元胞,元胞包括N+衬底,N+衬底的背面设有背金属层,N+衬底的正面设有N‑外延区,N‑外延区的正面依次设有栅氧层、多晶硅、金属化层;N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区,金属化层背面设有凸起部,凸起部嵌入P型基区,凸起部周围设有N+区,凸起部端面与P型基区之间设有P+区,P型基区、N+区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明相比于PN结结构,具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点;相比于肖特基二极管,具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270502 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110491416.8 H01L 23/367 (2006.01) (22)申请日

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