在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射.pdf

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本公开的实施例涉及在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射。一种半导体封装可以包括：衬底；专用集成电路(ASIC)，被设置于衬底的表面的第一部分上；存储器装置，被设置于衬底的表面的第二部分上；以及加强板，被设置于衬底的表面的第三部分上。加强板可以与ASIC和存储器装置间隔开并且可以包围ASIC和存储器装置。半导体封装可以包括被设置于衬底的表面的第四部分上的电磁干扰(EMI)吸收器。EMI吸收器可以被设置于加强板与ASIC和存储器装置之间。EMI吸收器可以包围ASIC和存储器装置并且可以阻挡由ASIC和

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116264218 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202210108055.9 H10B 80/00 (2023.01) (22)申请日 2022.01.