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本公开提出一种存储器装置。存储器装置包括栅极电极层以及放置于基板上方的互连层的堆叠。放置在基板上方的第一存储器单元包括垂直延伸穿过栅极电极层的堆叠的第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线。通道层以及存储器层放置在第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线的外侧壁上。第一阻挡结构放置在第一源极/漏极导线以及第二源极/漏极导线之间。第一保护衬层将第一阻挡结构与第一源极/漏极以及第二源极/漏极导线的每一个分开。第二阻挡结构放置在第一源极/漏极导线的相异侧上，且利用第二保护衬层而与第一源极/漏极导线间隔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823687 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210198687.9 H01L 27/1157 (2017.01)
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