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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备包含沿第1方向交替地积层的多个电极层与多个绝缘层的积层膜。进而，所述装置具备包含在所述积层膜内沿所述第1方向延伸的电荷储存层与第1半导体层的柱状部。进而，所述装置具备第2半导体层或第1绝缘膜，所述第2半导体层或第1绝缘膜设置在所述积层膜及所述柱状部上，包含与所述第1半导体层中所包含的杂质原子相同的杂质原子，且在所述第1方向上具有所述杂质原子的浓度斜率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921531 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202110086742.0
(22)申请日 2021.01.22
(30)优先权数据
2020-1172
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