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半导体装置和制造半导体装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体装置和制造半导体装置的方法.pdf

    本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。具有鳍状结构的晶体管的半导体装置包括：沟道层，设置在衬底上方并经由半导体层连接至衬底；源极层，设置在衬底上方的沟道层的第一侧表面上并经由第一绝缘层与衬底分离；漏极层，设置在衬底上方的沟道层的与第一侧表面相对的第二侧表面上，并经由第二绝缘层与衬底分离；以及栅电极，包括设置在沟道层上方的第一部分以及设置在衬底与沟道层之间的第二部分，第二部分的第三侧表面或第四侧表面面向半导体层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116264245 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202211465715.5 H01L 29/78 (2006.01)

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