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提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:基底,包括有源区域,有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域;字线,在基底的第一表面上,字线在第一方向上延伸;第一位线,在字线上,第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸,并且第一位线连接到第一杂质区域;第一接触塞,在第一位线之间,第一接触塞分别连接到第二杂质区域;第二位线,在基底的第二表面上,第二位线电连接到第一杂质区域;以及第一电容器,在第一接触塞上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264767 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202211082798.X
(22)申请日 2022.09.06
(30)优先权数据
10-2021-0176536
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