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一种PNP型双极晶体管制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种PNP型双极晶体管制造方法.pdf

    一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法，该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层，该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二和第三区域与所述绝缘阱之间注入分别为第一N型、第二P型和第三P型掺杂阱；在该第三区域上沉积第一绝缘层以及在该第一绝缘层上方可选择性蚀刻的第二绝缘层，并且创建掩膜；在该掩膜中选择性外延第二P型掺杂半导体层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270490 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110551865.7 H01L 29/08 (2006.01)

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