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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

    本发明提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：在衬底上方沿着第一方向纵向延伸的第一鳍式结构；位于第一鳍式结构的源极/漏极区域上方的第一外延部件；布置在第一鳍式结构的沟道区域上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及位于第一外延部件上方的源极/漏极接触件。该栅极结构的最底面比源极/漏极接触件的最底面更接近衬底。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284890 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110176810.2 H01L 21/8234 (2006.01)

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