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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR‑LDMOS结构中的P‑body/N‑epi结发生雪崩击穿，降低了器件的触发电压，另外PMOS还辅助NMOS通道开启泄放ESD电流；另一方面，内嵌双MOS触发SCR‑LDMOS结构中存在的PMOS‑NMOS通道可以对SCR‑LDMOS电压进行箝位，抑制器件内部正反馈效应，提高器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113270400 B
(45)授权公告日 2022.09.06
(21)申请号 202110558693.6 审查员 卢振宇
(22)申请日 2021.05.21
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